咸宁M4D9-17划片刀半导体晶圆切割刀

目前，机械式金刚石切割是划片工艺的主流技术。在这种切割方式下，金刚石刀片（Diamond Blade）以每分钟3万转到4万转的高转速切割晶圆的街区部分，同时，承载着晶圆的工作台以一定的速度沿刀片与晶圆接触点的切线方向呈直线运动，切割晶圆产生的硅屑被去离子水（DI water）冲走。依能够切割晶圆的尺寸 ，目前半导体界主流的划片机分８英寸和12英寸划片机两种。

高密度的金刚石颗粒可以延长划片刀的寿命，同时也可以减少晶圆背面崩角。而低密度的金刚石颗粒可以减少正面崩角。硬的粘结材料可以更好地“固定”金刚石颗粒，因而可以提高划片刀的寿命，而软的粘结材料能够加速金刚石颗粒的“自我锋利”（Self Sharpening）效应，令金刚石颗粒保持尖锐的棱角形状，因而可以减小晶圆的正面崩角或分层，但代价是划片刀寿命的缩短。刀锋的长度应根据晶圆的厚度，承载薄膜的厚度，大允许的崩角的尺寸来进行定义，刀锋不能选得过长，因为长的刀锋会在切割时引起刀片的摆动，会导致较大的崩角。

划片机一般提供两种切割模式，单刀切割（Single Cut）和台阶式切割（Step Cut），实验证明，划片刀的设计不可能同时满足正面崩角、分层及背面崩角的质量控制的要求。这个结论对于晶圆厚度大于7 mil的低k晶圆尤为适用。为了减小正面金属层与ILD层的分层，薄划片刀会被采用，若晶圆较厚，则需选取刀锋较长的刀片。但须注意，具有较高刀锋／刀宽比的划片刀在切割时会产生摆动，反而会造成较大的正面分层及背面崩角。
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因为硅材料的脆性，机械切割方式会对晶圆的正面和背面产生机械应力，结果在芯片的边缘产生正面崩角（FSC- Front Side Chipping）及背面崩角（BSC – Back Side Chipping）。
正面崩角和背面崩角会降低芯片的机械强度，初始的芯片边缘裂隙在后续的封装工艺中或在产品的使用中会进一步扩散，从而可能引起芯片断裂，导致电性失效。另外，如果崩角进入了用于保护芯片内部电路、防止划片损伤的密封环（Seal Ring）内部时，芯片的电气性能和可靠性都会受到影响。　
封装工艺设计规则限定崩角不能进入芯片边缘的密封圈。

北京汐源科技有限公司
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通常在切割前会在晶圆背部贴上UV膜或蓝膜，之后将贴有UV膜的晶圆放入划片机中，设置好程序开始划片，划片结束后拿出晶圆，进行解UV等工序。蓝膜成本较低，但是需要通过机械手段+温度辅助才能将芯片剥离；而UV膜粘性可以通过紫外线照射来改变。在划片完成后，晶圆被暴露在紫外光下，这使得膜的粘性降低，从而容易地剥离芯片。

切割毛刺

毛刺在晶圆的切割边缘形成的微小的材料残留，毛刺不仅影响芯片的外观，而且对芯片的性能和后续加工步骤产生负面影响。
MEMS导电胶 绝缘胶 低应力胶2025D 84-1LMI JM7000
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